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發(fā)展優(yōu)質(zhì)職業(yè)教育，培養更多具有儀器儀表技能的人才

2021 - 04 - 20

近年來(lái)，中國制造業(yè)取得了巨大成就，但面臨著(zhù)大而不強、全而不精的局面。制造業(yè)基礎能力還很薄弱，關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人，“卡脖子”、“掉鏈子”的風(fēng)險越來(lái)越大?！　【唧w到儀器制造行業(yè)，雖然我國在儀器制造技術(shù)研究和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)方面取得了長(cháng)足的進(jìn)步，成為世界第二大儀器儀表制造國，但也存在明顯的問(wèn)題，如高端儀器依賴(lài)進(jìn)口、產(chǎn)品質(zhì)量差、產(chǎn)品可靠性和穩定性差等?！　≈圃鞓I(yè)高質(zhì)量發(fā)展離不開(kāi)高技能人才　　隨著(zhù)新一輪工業(yè)革命的到來(lái)，中國制造業(yè)正在從中國制造向中國創(chuàng )造轉變。推動(dòng)制造業(yè)升級，走向高質(zhì)量發(fā)展迫在眉睫。2017年8月，國務(wù)院總理主持召開(kāi)推進(jìn)制造業(yè)強國建設座談會(huì )，表示要推進(jìn)制造業(yè)升級，走向高質(zhì)量發(fā)展，要充分發(fā)揮我國豐富的人力資源優(yōu)勢和潛力?！　‰S著(zhù)中國經(jīng)濟進(jìn)入高素質(zhì)發(fā)展的新階段，全社會(huì )對高素質(zhì)技術(shù)人才的需求更加旺盛。數據顯示，中國有2億多技能人才，占總就業(yè)人數的26%。而高技能人才只有5000萬(wàn)，占技能人才總數的28%。與德國、日本等制造大國相比，差距還是很大的?！　o(wú)論是實(shí)現經(jīng)濟增長(cháng)方式由粗放型向集約型的轉變，傳統產(chǎn)業(yè)的轉型升級，新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大，還是實(shí)現制造業(yè)大國向制造業(yè)強國的轉變，中國的制造業(yè)向中國的創(chuàng )造型轉變，都需要更多高素質(zhì)的技術(shù)和工藝人才，更需要來(lái)自大國的熟練工匠和工匠的支持?！　∨囵B技術(shù)技能人才，職業(yè)教育大有可為　　一個(gè)國家的經(jīng)濟社會(huì )發(fā)展離不開(kāi)人才，職業(yè)教育在人才培養的“蓄水池”中起著(zhù)至關(guān)...

圍繞半導體制造的爭端已經(jīng)加劇，歐美日韓都采取了行動(dòng)

2021 - 05 - 18

如今，隨著(zhù)各種智能技術(shù)和設備的快速發(fā)展，半導體產(chǎn)業(yè)的重要性日益突出。半導體不僅是傳統產(chǎn)業(yè)智能升級的基礎支撐，也是推動(dòng)新興技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵?；诖?，最近圍繞半導體領(lǐng)域的全球競爭變得日益激烈和升級?！　「偁幍慕裹c(diǎn)在半導體制造領(lǐng)域。自2020年以來(lái)，由于美國芯片禁令和全球疫情的影響，半導體制造和產(chǎn)能問(wèn)題逐漸突出。為了獲得對產(chǎn)業(yè)鏈的控制權，各國已經(jīng)從半導體設計、封裝和測試轉向制造業(yè)，這引發(fā)了制造業(yè)的競爭?！　∑渲?，美國作為半導體的上游玩家，率先進(jìn)入制造領(lǐng)域。我們知道，美國在半導體技術(shù)和設備上有優(yōu)勢，但制造業(yè)一直比較薄弱，主要依靠東南亞等地區。在這種背景下，為了在半導體這一關(guān)鍵領(lǐng)域獲得“安全感”，美國推出了“制造業(yè)回流”戰略?！　≡谶@一戰略的支持下，美國于去年首次點(diǎn)名邀請臺積電在美國建廠(chǎng)，意圖將半導體制造巨頭帶入本土。今年，美國政府發(fā)布了一項相關(guān)的半導體計劃，計劃投資數千億美元發(fā)展半導體制造。此外，美國還建立了涵蓋英特爾和蘋(píng)果等64家公司的半導體聯(lián)盟?！　∶绹X(jué)得有必要讓本土獲得更強更直接的半導體制造能力，這個(gè)想法也得到歐洲的認可。歐洲在半導體設備方面也有優(yōu)勢，但在制造領(lǐng)域較弱。去年，歐洲表示，將努力生產(chǎn)世界20%的半導體，以便在產(chǎn)業(yè)鏈上與其他國家更好地競爭?！　閷?shí)現這一目標，去年歐盟17國聯(lián)合宣布《歐洲處理器和半導體科技計劃聯(lián)合聲明》，計劃未來(lái)兩三年投資1450億歐元推動(dòng)半導體發(fā)展。...

發(fā)牌滿(mǎn)2周年，我國5G發(fā)展取得成效如何？

2021 - 06 - 09

自工信部于2019年6月6日正式頒發(fā)5G許可證以來(lái)，截至2021年6月6日，我國5G商業(yè)化正式進(jìn)入2周年。這期間，我國5G發(fā)展全力以赴，日益加速。即使是嚴峻的國際形勢和突發(fā)的疫情也沒(méi)有阻擋進(jìn)步的步伐。那么，基于這樣的發(fā)展，這兩年我國在5G方面取得了哪些成績(jì)呢？接下來(lái)，我們不妨一起來(lái)看看?！　【W(wǎng)絡(luò )建設全球領(lǐng)先。5G網(wǎng)絡(luò )是5G商業(yè)發(fā)展不可或缺的。在這方面，中國取得了美麗的成就。工業(yè)和信息化部最新數據顯示，我國已建成81.9萬(wàn)多個(gè)5G基站，約占全球總量的70%，覆蓋全國所有地級以上城市。2021年，計劃新建60萬(wàn)個(gè)5G基站，加快自主組網(wǎng)規模發(fā)展，推進(jìn)4G/5G協(xié)作?！　〗K端連接傲視群雄。5G商用發(fā)展還離不開(kāi)終端設備的支持。作為連接網(wǎng)絡(luò )與應用的重要工具，其在推動(dòng)5G落地商用過(guò)程中起到了十分關(guān)鍵的作用。而據統計，現階段我國5G終端連接數已達到2.8億，占全球80%以上；5G套餐用戶(hù)也超過(guò)3.5億戶(hù)，單位流量?jì)r(jià)格不斷下降，5G終端連接取得傲人成績(jì)。　　應用探索初具規模。網(wǎng)絡(luò )和終端的發(fā)力，最終都是為了應用。過(guò)去兩年，由于前提條件不夠成熟，我國應用不夠理想，但如今隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )和終端的持續完善，我國5G應用也初步取得探索成果。據悉，目前三大運營(yíng)商依托5G消息正在打造5G應用生態(tài)，而在行業(yè)數字化方面，5G與自動(dòng)駕駛、智能工廠(chǎng)、教育、醫療等融合也逐漸加快。　　標準專(zhuān)利碩果累累。5G商...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： 80GHz調頻雷達物位計（RBRD76）

型號：臺

時(shí)間： 2020 - 08 - 14

其他：防爆等級Exd IIC T6 Gb外殼鋁單腔/鋁雙腔/ 塑料/不銹鋼單腔顯示/編程編程器帶藍牙/5G遠程網(wǎng)絡(luò )調試過(guò)程溫度-40～1000℃技術(shù)規格：測量范圍0.6m~120m（固體）產(chǎn)品尺寸Ø100*270mm測量精度±1mm電纜入口M20*1.5波束角3°/8°推薦線(xiàn)纜AWG18或0.75mm²通訊方式HART過(guò)程壓力-0.1~2MPa使用介電常數范圍=2防護等級IP68故障輸出3.8mA、4mA，20mA，21mA，保持安裝方式螺紋或法蘭現場(chǎng)操作/編程128×64 點(diǎn)陣顯示屏/4按鍵可配置上位機設置軟件凈重/毛重量2.480Kg/2.995Kg工業(yè)溫度/濕度T0:-40~85℃/≤95%RH；T1:-40~200℃；T2:-40~500℃；T3:-40~1000℃包裝箱尺寸370*270*180mm天線(xiàn)類(lèi)型透鏡天線(xiàn)，可配透鏡天線(xiàn)護罩/防腐型天線(xiàn)/天線(xiàn)散熱膏/石英隔離法蘭盤(pán)過(guò)程壓力-0.1~2MPa尺寸結構：

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD16高頻雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD16 3Kg (取決于過(guò)程連接)供電電壓兩線(xiàn)制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個(gè)M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個(gè)盲堵M20×1.5接線(xiàn)端子導線(xiàn)橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD16兩線(xiàn)制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線(xiàn)末端最大測量距離RBRD16 30米(液體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時(shí)間大約1秒...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD17高頻雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD17 4Kg (取決于過(guò)程連接)供電電壓兩線(xiàn)制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個(gè)M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個(gè)盲堵M20×1.5接線(xiàn)端子導線(xiàn)橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD17兩線(xiàn)制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線(xiàn)末端最大測量距離RBRD17 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時(shí)間大約...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD18高頻雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 11 - 20

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD18 5Kg (取決于過(guò)程連接)供電電壓兩線(xiàn)制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個(gè)M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個(gè)盲堵M20×1.5接線(xiàn)端子導線(xiàn)橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD18兩線(xiàn)制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線(xiàn)末端最大測量距離RBRD18 70米(固體型)微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時(shí)間大約1...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD12-F 大量程、腐蝕性液體測量

型號：

時(shí)間： 2018 - 11 - 17

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼重量－RBRD12-F 2Kg (取決于過(guò)程連接)供電電壓兩線(xiàn)制標準型(16~26)V DC本安型(21.6～26.4)V DC功耗max22.5mA／0.5W允許紋波 - －(100～100K)Hz Uss電纜參數電纜入口／插頭1個(gè)M20×1.5電纜入口(電纜直徑5~9mm)一個(gè)盲堵M20×1.5接線(xiàn)端子導線(xiàn)橫截面2.5mm2輸出參數輸出信號／通訊協(xié)議(4~20)mA／HART / RS485／Modbus分辨率1.6uA故障信號電流輸出不變；20.5mA；22mA；3.9mA結構尺寸(單位mm)表殼尺寸——RBRD12-F兩線(xiàn)制負載電阻圖 ● 特征參數盲區天線(xiàn)末端最大測量距離RBRD12-F 30米微波頻率 26GHz通訊接口HART通訊協(xié)議／Modbus通訊協(xié)議測量間隔大約1秒(取決于參數設置)調整時(shí)間大約...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD51導波雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術(shù)參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過(guò)程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過(guò)程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線(xiàn)制接線(xiàn)儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線(xiàn)電纜入口2 個(gè) M20*1.5 或 ½'NPT(&#...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD52導波雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術(shù)參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過(guò)程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過(guò)程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線(xiàn)制接線(xiàn)儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線(xiàn)電纜入口2 個(gè) M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD53導波雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術(shù)參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍0-30m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過(guò)程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過(guò)程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線(xiàn)制接線(xiàn)儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線(xiàn)電纜入口2 個(gè) M20*1.5 或 ½'NPT( ...

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產(chǎn)品名稱(chēng)： RBRD54導波雷達物位計

型號：

時(shí)間： 2018 - 12 - 12

外殼外殼和外殼蓋之間的密封硅橡膠外殼視窗聚碳酸酯接地端子不銹鋼技術(shù)參數工作頻率100MHZ-1.8GHZ測量范圍纜式：0-30m；桿式、同軸管式：0-6m重復性±2mm分辨率1mm采樣回波采樣 55 次 /s響應速度0.2S（根據具體使用情況而定）輸出電流信號4-20mA精度±3mm通訊接口HART 通訊協(xié)議過(guò)程連接G1'A/G1½'A 螺紋法蘭 DN50，DN80，DN100， DN150，DN200,DN250過(guò)程壓力-0.1-4MPa電源24VDC(±10%), 紋波電壓：1Vpp 耗電量：max 22.5mA環(huán)境條件溫度 -40℃～ +70℃外殼防護/防爆等級IP67 / Exd IIC T4 Gb兩線(xiàn)制接線(xiàn)儀表供電和信號輸出共用一根兩芯屏蔽電纜線(xiàn)電纜入口2 個(gè) M20*1.5 或 ...

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